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FW389-TL-2W

FW389-TL-2W

数据手册.pdf

100V/2A,-100V/-2A,N/P沟道功率MOSFET

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 100V 2A 1.8W 表面贴装型 8-SOIC


得捷:
MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SOIC


立创商城:
FW389-TL-2W


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then ON Semiconductor&s;s FW389-TL-2W power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 2200 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 100V/-100V 2A/-2A 8-Pin SOT-96 T/R


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SOIC N EP T/R


力源芯城:
100V/2A,-100V/-2A,N/P沟道功率MOSFET


FW389-TL-2W中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.165 Ω

极性 N+P

耗散功率 2.2 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 2A

正向电压Max 1.2 V

输入电容Ciss 490pF @10VVds

额定功率Max 1.8 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 2200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FW389-TL-2W引脚图与封装图
FW389-TL-2W引脚图

FW389-TL-2W引脚图

FW389-TL-2W封装图

FW389-TL-2W封装图

FW389-TL-2W封装焊盘图

FW389-TL-2W封装焊盘图

在线购买FW389-TL-2W
型号 制造商 描述 购买
FW389-TL-2W ON Semiconductor 安森美 100V/2A,-100V/-2A,N/P沟道功率MOSFET 搜索库存
替代型号FW389-TL-2W
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FW389-TL-2W

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: 8-SOIC N P 100V 2A

当前型号

100V/2A,-100V/-2A,N/P沟道功率MOSFET

当前型号

型号: CC69L-2024-01-T-SP

品牌: 申泰电子

封装:

功能相似

SAMTEC  CC69L-2024-01-T-SP  触芯, CC69L系列, 母, 压接, 20 AWG, 镀锡触芯, Samtec IPBD Series Discrete Wire Socket Housings

FW389-TL-2W和CC69L-2024-01-T-SP的区别

型号: CC69R-2024-01-T-SP

品牌: 申泰电子

封装:

功能相似

压接触芯

FW389-TL-2W和CC69R-2024-01-T-SP的区别

型号: FW389-TL-2WX

品牌: 安森美

封装:

功能相似

MOSFET N-CH 100V 8SOIC

FW389-TL-2W和FW389-TL-2WX的区别