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FQD7N30TM
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQD7N30TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 5.50 A

通道数 1

漏源极电阻 700 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 300 V

漏源击穿电压 300 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.50 A

上升时间 75 ns

输入电容Ciss 610pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQD7N30TM引脚图与封装图
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在线购买FQD7N30TM
型号 制造商 描述 购买
FQD7N30TM Fairchild 飞兆/仙童 QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FQD7N30TM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQD7N30TM

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 300V 5.5A 700mohms

当前型号

QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号: FQD5N30TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 300V 4.4A 900mohms

类似代替

N沟道 300V 4.4A

FQD7N30TM和FQD5N30TM的区别

型号: FQD5N30TF

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 300V 4.4A 900mohms

类似代替

N沟道 300V 4.4A

FQD7N30TM和FQD5N30TF的区别

型号: FQD7N30TF

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 300V 5.5A 700mohms

类似代替

Trans MOSFET N-CH 300V 5.5A 3Pin2+Tab DPAK T/R

FQD7N30TM和FQD7N30TF的区别