额定电压DC 300 V
额定电流 5.50 A
通道数 1
漏源极电阻 700 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 300 V
漏源击穿电压 300 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
上升时间 75 ns
输入电容Ciss 610pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQD7N30TM | Fairchild 飞兆/仙童 | QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQD7N30TM 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 300V 5.5A 700mohms | 当前型号 | QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 | |
型号: FQD5N30TM 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 300V 4.4A 900mohms | 类似代替 | N沟道 300V 4.4A | FQD7N30TM和FQD5N30TM的区别 | |
型号: FQD5N30TF 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 300V 4.4A 900mohms | 类似代替 | N沟道 300V 4.4A | FQD7N30TM和FQD5N30TF的区别 | |
型号: FQD7N30TF 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 300V 5.5A 700mohms | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 300V 5.5A 3Pin2+Tab DPAK T/R | FQD7N30TM和FQD7N30TF的区别 |