FDS8333C
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS8333C中文资料参数规格
技术参数
额定电流 4.10 A
漏源极电阻 80 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 185 pF
栅电荷 4.10 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.40 A
上升时间 13.0 ns
输入电容Ciss 282pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS8333C引脚图与封装图
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在线购买FDS8333C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS8333C | Fairchild 飞兆/仙童 | 30V N" P沟道PowerTrench MOSFET的 30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs | 搜索库存 |
替代型号FDS8333C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS8333C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 3.4A 80mohms 185pF | 当前型号 | 30V N" P沟道PowerTrench MOSFET的 30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs | 当前型号 |
| 型号： FDS8333C_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | SOIC N+P 30V 4.1A/3.4A | FDS8333C和FDS8333C_NL的区别 |