FDG330P
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDG330P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -12.0 V
额定电流 -2.00 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.084 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 750 mW
输入电容 477 pF
栅电荷 5.00 nC
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 -200 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 477pF @6VVds
额定功率Max 480 mW
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 750mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDG330P引脚图与封装图
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在线购买FDG330P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDG330P | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG330P 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -12 V, 0.084 ohm, -4.5 V, -700 mV | 搜索库存 |
替代型号FDG330P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDG330P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SC-70 P-Channel -12V 2A 110mohms 477pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG330P 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -12 V, 0.084 ohm, -4.5 V, -700 mV | 当前型号 |
| 型号： FDG312P 品牌： 飞兆/仙童 封装： 6-TSSOP P-Channel -20V 1.2A 135mohms 330pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG312P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.2 A, -20 V, 0.135 ohm, -4.5 V, 900 mV | FDG330P和FDG312P的区别 |
| 型号： FDG326P 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-363/SC70-6 P-Channel 20V 1.5A 140mohms 467pF | 类似代替 | P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | FDG330P和FDG326P的区别 |
| 型号： NTJS3151PT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 P-Channel -12V 3.3A 133mohms | 功能相似 | 12V,-3.3A,功率MOSFET | FDG330P和NTJS3151PT1G的区别 |