FDC6321C
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDC6321C中文资料参数规格
技术参数
额定电流 680 mA
针脚数 6
漏源极电阻 0.33 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 800 mV
输入电容 63.0 pF
栅电荷 1.10 nC
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 ±25.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 680 mA, 460 mA
上升时间 9.00 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.9 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDC6321C引脚图与封装图
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在线购买FDC6321C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDC6321C | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6321C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 460 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV | 搜索库存 |
替代型号FDC6321C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDC6321C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SSOT N-Channel 25V 680mA 1.1ohms 63pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6321C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 460 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV | 当前型号 |
| 型号： FDC6333C 品牌： 飞兆/仙童 封装： SSOT N-Channel 30V 2.5A 95mohms 185pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6333C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 V | FDC6321C和FDC6333C的区别 |
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| 型号： SI3586DV-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-6 N-Channel 20V 2.5A | 功能相似 | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP | FDC6321C和SI3586DV-T1-GE3的区别 |