制造商型号: | FDC6321C |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FDC6321C
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FDC6321C 中文资料
数据手册PDF
FDC6321C 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 680 mA, 460 mA
漏源电阻 450 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV, 1.5 V
栅极电荷 2.3 nC, 1.5 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 9 ns
正向跨导(Min) 1.45 S, 0.8 S
上升时间 8 ns, 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns, 55 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 7 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
零件号别名 FDC6321C_NL
单位重量 36 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 1.56011 | 4680.33 |
6000 | 1.459512 | 8757.07 |
15000 | 1.358844 | 20382.66 |
30000 | 1.288384 | 38651.52 |
品牌其他型号
FDC6321C品牌厂家:ON
,所属分类: 射频晶体管
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