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FDC8886
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDC8886中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.5A

输入电容Ciss 465pF @15VVds

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDC8886引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDC8886 Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存