FW297-TL-2W中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
极性 N-CH
耗散功率 1.8 W
阈值电压 1.2 V, 1.2 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 ±60 V
连续漏极电流Ids 4.5A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 750pF @20VVds
额定功率Max 1.8 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.375 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FW297-TL-2W引脚图与封装图
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在线购买FW297-TL-2W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FW297-TL-2W | ON Semiconductor 安森美 | SOIC N-CH 60V 4.5A | 搜索库存 |
替代型号FW297-TL-2W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FW297-TL-2W 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 8-SOIC N-CH | 当前型号 | SOIC N-CH 60V 4.5A | 当前型号 |
| 型号： SI9945BDY-T1-GE3 品牌： 威世 封装： 8-SOIC N-Channel 60V 4.3A 58mΩ | 功能相似 | 双 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | FW297-TL-2W和SI9945BDY-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI4900DY-T1-E3 品牌： 威世 封装： 8-SOIC Dual N-Channel 60V 5.3A 58mΩ | 功能相似 | SOIC-8 Dual N 60V 4.3A 58mΩ | FW297-TL-2W和SI4900DY-T1-E3的区别 |