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EFC4C002NLTDG

EFC4C002NLTDG

数据手册.pdf

双N沟道共漏

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 - - 2.6W 表面贴装型 8-WLCSP(6x2.5)


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MOSFET 2N-CH 8WLCSP


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Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin WLCSP T/R


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Trans MOSFET N-CH 8-Pin WLCSP T/R


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Trans MOSFET N-CH 30A 8-Pin WLCSP T/R


EFC4C002NLTDG中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.6 W

上升时间 750 ns

输入电容Ciss 6200pF @15VVds

额定功率Max 2.6 W

下降时间 105 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 WLCSP-8

外形尺寸

封装 WLCSP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

EFC4C002NLTDG引脚图与封装图
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