ECH8659-TL-W中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.018 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 2.6 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 710pF @10VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 2.3 mm
高度 0.88 mm
封装 SMD-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECH8659-TL-W引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ECH8659-TL-W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ECH8659-TL-W | ON Semiconductor 安森美 | N 通道 MOSFET，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号ECH8659-TL-W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ECH8659-TL-W 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 8-SMD Dual N-Channel | 当前型号 | N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： ECH8659-TL-HX 品牌： 安森美 封装： 8-SMD | 类似代替 | Mosfet 2n-Ch 30V 7A Ech8 | ECH8659-TL-W和ECH8659-TL-HX的区别 |