ECH8659-TL-HX中文资料参数规格
技术参数
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 710pF @10VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-8
外形尺寸
封装 SMD-8
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECH8659-TL-HX引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ECH8659-TL-HX
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ECH8659-TL-HX | ON Semiconductor 安森美 | Mosfet 2n-Ch 30V 7A Ech8 | 搜索库存 |
替代型号ECH8659-TL-HX
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ECH8659-TL-HX 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 8-SMD | 当前型号 | Mosfet 2n-Ch 30V 7A Ech8 | 当前型号 |
| 型号： ECH8659-TL-H 品牌： 安森美 封装： 8-SMD N-Channel 30V 7A | 完全替代 | 7A,30V,双N沟道MOSFET | ECH8659-TL-HX和ECH8659-TL-H的区别 |
| 型号： ECH8659-TL-W 品牌： 安森美 封装： 8-SMD Dual N-Channel | 类似代替 | N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | ECH8659-TL-HX和ECH8659-TL-W的区别 |