ECH8651R-TL-HX中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.4 W
漏源极电压Vds 24 V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 1.4 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 2.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SMD-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECH8651R-TL-HX引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ECH8651R-TL-HX
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ECH8651R-TL-HX | ON Semiconductor 安森美 | 双 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号ECH8651R-TL-HX
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ECH8651R-TL-HX 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 8-SMD | 当前型号 | 双 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： ECH8651R-TL-H 品牌： 安森美 封装： 8-SMD Dual N-Channel 24V 10A | 类似代替 | 10A,24V,双N沟道MOSFET | ECH8651R-TL-HX和ECH8651R-TL-H的区别 |
| 型号： ECH8697R-TL-W 品牌： 安森美 封装： 8-SMD Dual N-Channel | 功能相似 | 24V,10A,11.6mΩ,双共漏极N通道功率MOSFET | ECH8651R-TL-HX和ECH8697R-TL-W的区别 |