EMG4T2R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMG4T2R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SMD-6
外形尺寸
封装 SMD-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EMG4T2R引脚图与封装图
暂无图片
替代型号EMG4T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMG4T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 6-SMD NPN 50V 100mA | 当前型号 | EMT NPN 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： UMG4NTR 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-353 NPN 50V 100mA | 完全替代 | UMG4N 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 NPN 数字晶体管 - SC-88A | EMG4T2R和UMG4NTR的区别 |
| 型号： EMG3T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： SC-75 NPN | 完全替代 | EMG3 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 NPN 复合 数字 晶体管 -EMT-5 | EMG4T2R和EMG3T2R的区别 |
| 型号： UMG6NTR 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-353 NPN 50V 100mA | 完全替代 | UMG6N 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双通道 NPN 数字晶体管 - SC-88A | EMG4T2R和UMG6NTR的区别 |