EMT1DXV6T5中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 357 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-563-6
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.55 mm
封装 SOT-563-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
EMT1DXV6T5引脚图与封装图
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在线购买EMT1DXV6T5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMT1DXV6T5 | ON Semiconductor 安森美 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | 搜索库存 |
替代型号EMT1DXV6T5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMT1DXV6T5 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-563 PNP -60V -100mA | 当前型号 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | 当前型号 |
| 型号： EMT1DXV6T5G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 PNP -60V -100mA 500mW | 功能相似 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | EMT1DXV6T5和EMT1DXV6T5G的区别 |