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EMX26T2R
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 6PIN

- 双极 BJT - 阵列 2 NPN(双) 50V 150mA 250MHz 150mW 表面贴装型 EMT6


得捷:
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT


欧时:
NPN+NPN High hFE & Muting Transistor


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 6PIN


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 6-Pin EMT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 6-Pin EMT T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 6-Pin EMT T/R


DeviceMart:
TRANS GP NPN 50V 0.15A EMT6


Win Source:
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT / Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 50V 150mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6


EMX26T2R中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定功率 0.15 W

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 820 @50mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 820 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.5 mm

封装 SOT-563

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

EMX26T2R引脚图与封装图
EMX26T2R引脚图

EMX26T2R引脚图

EMX26T2R封装图

EMX26T2R封装图

EMX26T2R封装焊盘图

EMX26T2R封装焊盘图

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EMX26T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 6PIN 搜索库存