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EMB1412MY/NOPB

EMB1412MY/NOPB

TI(德州仪器) 主动器件

MOSFET 栅极驱动器 8-HVSSOP -40 to 125

低端 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-HVSSOP


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:3A 拉:7A


德州仪器TI:
MOSFET gate driver


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP


艾睿:
Gate Drivers SEMS SILICON I/C


Verical:
EMB1412 MOSFET GATE DRIVER


EMB1412MY/NOPB中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 14ns, 12ns

输出电流 3 A

上升时间 14 ns

下降时间 12 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.5V ~ 14V

电源电压Max 14 V

电源电压Min 3.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerPad-MSOP-8

外形尺寸

封装 PowerPad-MSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

EMB1412MY/NOPB引脚图与封装图
EMB1412MY/NOPB引脚图

EMB1412MY/NOPB引脚图

EMB1412MY/NOPB封装图

EMB1412MY/NOPB封装图

EMB1412MY/NOPB封装焊盘图

EMB1412MY/NOPB封装焊盘图

在线购买EMB1412MY/NOPB
型号 制造商 描述 购买
EMB1412MY/NOPB TI 德州仪器 MOSFET 栅极驱动器 8-HVSSOP -40 to 125 搜索库存
替代型号EMB1412MY/NOPB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: EMB1412MY/NOPB

品牌: TI 德州仪器

封装: HVSSOP-8

当前型号

MOSFET 栅极驱动器 8-HVSSOP -40 to 125

当前型号

型号: EMB1412MYE/NOPB

品牌: 德州仪器

封装: HVSSOP-8

完全替代

门驱动器 SEMS SILICON I/C

EMB1412MY/NOPB和EMB1412MYE/NOPB的区别