EMZ1DXV6T5G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN, PNP
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
EMZ1DXV6T5G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买EMZ1DXV6T5G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMZ1DXV6T5G | ON Semiconductor 安森美 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | 搜索库存 |
替代型号EMZ1DXV6T5G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMZ1DXV6T5G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-563 NPN 60V 100mA | 当前型号 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | 当前型号 |
| 型号： EMZ1DXV6T5 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN PNP 60V 100mA | 类似代替 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | EMZ1DXV6T5G和EMZ1DXV6T5的区别 |
| 型号： BC847BPDXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN 100mA 500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847BPDXV6T1G 双极晶体管阵列, AEC-Q101, NPN, PNP, 45 V, 500 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-563 新 | EMZ1DXV6T5G和BC847BPDXV6T1G的区别 |
| 型号： EMZ1DXV6T1 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN PNP -60V -100mA | 功能相似 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | EMZ1DXV6T5G和EMZ1DXV6T1的区别 |