
ESD5382MUT5G中文资料参数规格
技术参数
工作电压 3 V
电容 7 pF
击穿电压 14.2 V
耗散功率 300 mW
钳位电压 26 V
最小反向击穿电压 14.2 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DFN-2
外形尺寸
封装 DFN-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用, ESD Protection
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
ESD5382MUT5G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ESD5382MUT5G
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
ESD5382MUT5G | ON Semiconductor 安森美 | ESD 抑制器/TVS 二极管 ESD PROTECTION DIODE | 搜索库存 |