EFC6602R-A-TR中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
耗散功率 2 W
上升时间 2100 ns
额定功率Max 2 W
下降时间 5500 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 XFBGA-6
外形尺寸
封装 XFBGA-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EFC6602R-A-TR引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| EFC6602R-A-TR | ON Semiconductor 安森美 | Trans MOSFET N-CH 6Pin EFCP T/R | 搜索库存 |