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ECH8502-TL-H

ECH8502-TL-H

数据手册.pdf

1个NPN,1个PNP 30V 1.6W

- 双极 BJT - 阵列 NPN,PNP 100V,50V 5A 290MHz 1.6W 表面贴装型 8-ECH


立创商城:
1个NPN,1个PNP 30V 5A


得捷:
TRANS NPN/PNP 100V/50V 5A 8ECH


艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 5A 8-Pin ECH T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 5A 1600mW 8-Pin ECH T/R


Win Source:
TRANS NPN/PNP 100V/50V 5A 8ECH


ECH8502-TL-H中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

耗散功率 1.6 W

击穿电压集电极-发射极 100V, 50V

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V

额定功率Max 1.6 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ECH8502-TL-H引脚图与封装图
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在线购买ECH8502-TL-H
型号 制造商 描述 购买
ECH8502-TL-H ON Semiconductor 安森美 1个NPN,1个PNP 30V 1.6W 搜索库存
替代型号ECH8502-TL-H
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ECH8502-TL-H

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: 8-SMD 1600mW

当前型号

1个NPN,1个PNP 30V 1.6W

当前型号