ECH8659-TL-H中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 N-Channel
耗散功率 1.30 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 710pF @10VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
外形尺寸
封装 SMD-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECH8659-TL-H引脚图与封装图
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在线购买ECH8659-TL-H
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ECH8659-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | 7A,30V,双N沟道MOSFET | 搜索库存 |
替代型号ECH8659-TL-H
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ECH8659-TL-H 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 8-SMD N-Channel 30V 7A | 当前型号 | 7A,30V,双N沟道MOSFET | 当前型号 |
| 型号： ECH8659-TL-HX 品牌： 安森美 封装： 8-SMD | 完全替代 | Mosfet 2n-Ch 30V 7A Ech8 | ECH8659-TL-H和ECH8659-TL-HX的区别 |
| 型号： ECH8664R-TL-H 品牌： 安森美 封装： 8-SMD N-Channel 30V 7A | 类似代替 | N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | ECH8659-TL-H和ECH8664R-TL-H的区别 |