ECH8602M-TL-H中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
漏源极电阻 30 mΩ
极性 N-CH
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 6A
额定功率Max 1.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 ECH-8
外形尺寸
封装 ECH-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECH8602M-TL-H引脚图与封装图
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在线购买ECH8602M-TL-H
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ECH8602M-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | 6A,30V,N沟道MOSFET | 搜索库存 |
替代型号ECH8602M-TL-H
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ECH8602M-TL-H 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： ECH N-CH 30V 6A | 当前型号 | 6A,30V,N沟道MOSFET | 当前型号 |
| 型号： ECH8602 品牌： 三洋 封装： | 功能相似 | N-channel Silicon Mosfet | ECH8602M-TL-H和ECH8602的区别 |