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EFC6602R-TR

EFC6602R-TR

数据手册.pdf

12V,18A,5.9mΩ,双N沟道功率MOSFET

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) - - 2W 表面贴装型 EFCP2718-6CE-020


得捷:
MOSFET 2N-CH EFCP


贸泽:
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 6-Pin EFCP T/R


力源芯城:
12V,18A,5.9mΩ,双N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET 2N-CH EFCP


EFC6602R-TR中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 6

上升时间 2100 ns

额定功率Max 2 W

下降时间 5500 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WLCSP-6

外形尺寸

封装 WLCSP-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2018/06/27

EFC6602R-TR引脚图与封装图
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EFC6602R-TR ON Semiconductor 安森美 12V,18A,5.9mΩ,双N沟道功率MOSFET 搜索库存
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型号: EFC6602R-TR

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: 6-XFBGA

当前型号

12V,18A,5.9mΩ,双N沟道功率MOSFET

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