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ECH8695R-TL-W

ECH8695R-TL-W

数据手册.pdf

24V,11A,9.1mΩ,双N沟道功率MOSFET

双 N 通道 MOSFET,

### MOSFET ,ON Semiconductor


得捷:
MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28


立创商城:
ECH8695R-TL-W


欧时:
ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET ECH8695R-TL-W, 11 A, Vds=24 V, 8引脚 ECH封装


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 24 V, 11 A, 0.007 ohm, SOT-28FL, 表面安装


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this ECH8695R-TL-W power MOSFET from ON Semiconductor. Its maximum power dissipation is 1500 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
ECH8695R-TL-W Dual N-channel MOSFET Transistor; 11 A; 24 V; 8-Pin ECH


安富利:
Trans MOSFET N-CH 24V 11A 8-Pin SOT-28 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 24V 11A 8-Pin SOT-28FL T/R


力源芯城:
24V,11A,9.1mΩ,双N沟道功率MOSFET


ECH8695R-TL-W中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.007 Ω

耗散功率 1.5 W

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 24 V

上升时间 320 ns

额定功率Max 1.4 W

下降时间 22300 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOT-28

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 2.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-28

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

ECH8695R-TL-W引脚图与封装图
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