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EFC4619R-TR

EFC4619R-TR

数据手册.pdf

24V,6A,23mΩ,双N沟道功率MOSFET

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) - - 1.6W 表面贴装型 EFCP1616-4CE-022


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N


贸泽:
MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, EFCP, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 4-Pin XFLGA T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 24V 6A 4-Pin XFLGA T/R


力源芯城:
24V,6A,23mΩ,双N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET 2N-CH EFCP


EFC4619R-TR中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 4

极性 N-CH

耗散功率 1.6 W

上升时间 440 ns

额定功率Max 1.6 W

下降时间 22400 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 EFCP1616-4CE-022

外形尺寸

封装 EFCP1616-4CE-022

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

EFC4619R-TR引脚图与封装图
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在线购买EFC4619R-TR
型号 制造商 描述 购买
EFC4619R-TR ON Semiconductor 安森美 24V,6A,23mΩ,双N沟道功率MOSFET 搜索库存
替代型号EFC4619R-TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: EFC4619R-TR

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: 4-XFBGA N-CH

当前型号

24V,6A,23mΩ,双N沟道功率MOSFET

当前型号

型号: EFC4618R-TR

品牌: 安森美

封装: EFCP

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