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ECH8660-TL-H

ECH8660-TL-H

数据手册.pdf

N/P 通道 MOSFET,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

双 N/P 通道 MOSFET,


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH


立创商城:
ECH8660-TL-H


欧时:
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET ECH8660-TL-H, 4.5 A, Vds=30 V, 8引脚 ECH封装


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 30 V, 0.045 ohm, 10 V, 2.6 V


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of ON Semiconductor&s;s ECH8660-TL-H power MOSFET. Its maximum power dissipation is 1500 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8-Pin ECH T/R


富昌:
N/P Channel 30 V 59 mΩ 4.4 nC SMT Complimentary Power Mosfet - ECH-8FL


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4.5A 8-Pin ECH T/R


Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8


ECH8660-TL-H中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 8

漏源极电阻 0.045 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 2.6 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 240pF @10VVds

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 2.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SMD-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ECH8660-TL-H引脚图与封装图
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