ESD5Z12T1G

ON SEMICONDUCTOR  ESD5Z12T1G  静电保护装置, TVS, 25 V, SOD-523, 2 引脚, 12 V, 240 W

极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 12V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 14.1V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 240W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 9.6A 额定耗散功率PdPower dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Transient Voltage Suppressors Micro−Packaged Diodes for ESD Protection；Specification Features • Small Body Outline Dimensions:0.047″ x 0.032″1.20 mm x 0.80 mm • Low Body Height: 0.028″ 0.7 mm • Stand−off Voltage: 2.5 V − 12 V • Peak Power up to 240 Watts @ 8 x 20 s Pulse • Low Leakage • Response Time is Typically < 1 ns • ESD Rating of Class 3 > 16 kV per Human Body Model • IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection • IEC61000−4−4 Level 4 EFT Protection • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 瞬态电压 抑制器 微型封装的ESD保护;规格特性 •小体外形尺寸：0.047“×0.032”（1.20毫米x0.80毫米） •低身高：0.028“（0.7毫米） •反向关断电压：2.5 V - 12 V •峰值功率高达240瓦@8×20？s脉冲 •低漏 •响应时间通常小于1 ns •每人体模型ESD额定值的3类（16千伏） •IEC61000-4-24级ESD保护 •IEC61000-4-4等级4 EFT保护 •无铅包可用