DMNH6042SSDQ-13

Diodes(美台) 电子元器件分类

2个N沟道 60V 16.7A

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 16.7A（Tc） 2.1W 表面贴装型 8-SO

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2个N沟道 60V 16.7A

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MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R; 2

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MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin SO T/R

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MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R; 2.5K

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Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin SO T/R

DMNH6042SSDQ-13中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.1 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 1.9 ns

输入电容Ciss 584pF @25VVds

额定功率Max 2.1 W

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMNH6042SSDQ-13引脚图与封装图

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