DMT6009LFG-7

Diodes(美台) 分立器件

集成电路

表面贴装型 N 通道 60 V 11A（Ta），34A（Tc） 2.08W（Ta），19.2W（Tc） PowerDI3333-8

得捷:
MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333

立创商城:
N沟道 60V 11A

艾睿:
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

安富利:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI3333-8 T&R; 2K

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R

DMT6009LFG-7中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.08 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 8.6 ns

输入电容Ciss 1925pF @30VVds

下降时间 15.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.08W Ta, 19.2W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerDI-3333-8

外形尺寸

封装 PowerDI-3333-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMT6009LFG-7引脚图与封装图

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