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DIODES(美台) DMT6009LFG-7

DIODES(美台) DMT6009LFG-7
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

DMT6009LFG-7

制造商:

DIODES (美台)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 60V 11A

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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DMT6009LFG-7 中文资料

数据手册PDF

DMT6009LFG-7 规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 34 A

漏源电阻 10 mOhms

栅极电压 - 16 V, + 16 V

栅源极阈值电压 700 mV

栅极电荷 33.5 nC

耗散功率 19.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 30 mg

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥6.958811 总价:¥6.96

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 6.958811 6.96
10 6.22126 62.21
100 4.847582 484.76
500 4.004742 2002.37
1000 3.161634 3161.63
品牌其他型号
DMT6009LFG-7品牌厂家:DIODES ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购DMT6009LFG-7、查询DMT6009LFG-7代理商; DMT6009LFG-7价格批发咨询客服;这里拥有 DMT6009LFG-7中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 DMT6009LFG-7替代型号DMT6009LFG-7数据手册PDF