DMN2022UNS-7

Diodes(美台) 分立器件

集成电路

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 20V 10.7A（Ta） 1.2W 表面贴装型 PowerDI3333-8

得捷:
MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

贸泽:
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W

艾睿:
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Win Source:
MOSFET 2NCH 20V 10.7A POWERDI

DMN2022UNS-7中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 1870pF @10VVds

额定功率Max 1.2 W

耗散功率Max 1.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerDI-3333-8

外形尺寸

封装 PowerDI-3333-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN2022UNS-7引脚图与封装图

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