制造商型号: | DMN2022UNS-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMN2022UNS-7
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DMN2022UNS-7 中文资料
数据手册PDF
DMN2022UNS-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10.7 A
漏源电阻 10.8 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 20.3 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 144 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2000 | 1.604772 | 3209.54 |
6000 | 1.494084 | 8964.50 |
10000 | 1.43874 | 14387.40 |
品牌其他型号
DMN2022UNS-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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