DGD21042S8-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
电子元器件分类
上升/下降时间 70ns, 35ns
输出接口数 2
输出电流 600 mA
针脚数 8
耗散功率 625 mW
静态电流 500 µA
上升时间 170 ns
下降时间 90 ns
下降时间Max 90 ns
上升时间Max 170 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
引脚数 8
封装 SOIC-8
高度 1.45 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DGD21042S8-13 | Diodes 美台 | MOSFET驱动器, 半桥, 10 V至20 V电源, 0.6 A输出, 35 ns延迟, SOIC-8 | 搜索库存 |