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DDC114TH-7

DDC114TH-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

2 个 NPN 预偏压式双 100mA 50V

NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features

•  Epitaxial Planar Die Construction

•  Complementary PNP Types Available DDA

•  Built-In Biasing Resistors

•  Lead Free By Design/RoHS Compliant Note 3

•  "Green" Device Note 4 and 5


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563


立创商城:
2个NPN-预偏置 100mA 50V


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-563 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-563 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563


DDC114TH-7中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DDC114TH-7引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DDC114TH-7 Diodes 美台 2 个 NPN 预偏压式双 100mA 50V 搜索库存
替代型号DDC114TH-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DDC114TH-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-563 NPN 150mW

当前型号

2 个 NPN 预偏压式双 100mA 50V

当前型号

型号: EMH4T2R

品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-563 NPN 50V 100mA 0.15W

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