DMN3067LW-13

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

N-Channel 30V 2.6A Ta 500mW Ta Surface Mount SOT-323

得捷:
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

贸泽:
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-323 T/R

DMN3067LW-13中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 70 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 1.1 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 2.6A

上升时间 5.2 ns

输入电容Ciss 447pF @10VVds

额定功率Max 500 mW

下降时间 6.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN3067LW-13引脚图与封装图

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