制造商型号： | DMN3067LW-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMN3067LW-13
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DMN3067LW-13 中文资料
数据手册PDF
DMN3067LW-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标名 PowerDI
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 70 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 4.6 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.1 ns
上升时间 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 3.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存： 10000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10000 | 0.90718 | 9071.80 |
| 30000 | 0.895564 | 26866.92 |
| 50000 | 0.760883 | 38044.15 |
| 100000 | 0.749146 | 74914.60 |
品牌其他型号
DMN3067LW-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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