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DMG3420U-7

DMG3420U-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMG3420U-7 编带

表面贴装型 N 通道 20 V 5.47A(Ta) 740mW(Ta) SOT-23-3


得捷:
MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3


立创商城:
N沟道 20V 5.47A


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this DMG3420U-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 740 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 20V 5.47A SOT23


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; 0.74W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMG3420U-7  MOSFET, N-CH, 20V, SOT-23-3


儒卓力:
**N-CH MOS-FET 5,47 20V SOT23 **


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23


DMG3420U-7中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.74 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 740 mW

阈值电压 950 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 5.47A

上升时间 8.3 ns

正向电压Max 1 V

输入电容Ciss 434.7pF @10VVds

额定功率Max 740 mW

下降时间 5.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 740mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMG3420U-7引脚图与封装图
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在线购买DMG3420U-7
型号 制造商 描述 购买
DMG3420U-7 Diodes 美台 DMG3420U-7 编带 搜索库存
替代型号DMG3420U-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DMG3420U-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT23-3 N-Channel 20V 5.47A

当前型号

DMG3420U-7 编带

当前型号

型号: SI2312CDS-T1-GE3

品牌: 威世

封装: TO-236 N-Channel 20V 6A 26.5mΩ

功能相似

SI2312CDS-T1-GE3 编带

DMG3420U-7和SI2312CDS-T1-GE3的区别

型号: DMG3420UQ-7

品牌: 美台

封装: N-CH 20V 5.47A

功能相似

MOS场效应管

DMG3420U-7和DMG3420UQ-7的区别