DMNH10H028SK3-13

Diodes(美台) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 100V 55A Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R

表面贴装型 N 通道 100 V 55A（Tc） 2W（Ta） TO-252-3

得捷:
MOSFET N-CH 100V 55A TO252

贸泽:
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 55A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 55A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

DMNH10H028SK3-13中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.7 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 55A

上升时间 5.8 ns

输入电容Ciss 2245pF @50VVds

下降时间 4.8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.58 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.29 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMNH10H028SK3-13引脚图与封装图

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