制造商型号: | DMNH10H028SK3-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMNH10H028SK3-13
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DMNH10H028SK3-13 中文资料
数据手册PDF
DMNH10H028SK3-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 55 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.8 ns
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.8 ns
典型接通延迟时间 6.4 ns
外形参数
高度 2.29 mm
长度 6.58 mm
宽度 6.1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 3.442484 | 8606.21 |
品牌其他型号
DMNH10H028SK3-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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