DMN3033LSNQ-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMN3033LSNQ-7中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.4W Ta
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 755pF @10VVds
下降时间 30 ns
耗散功率Max 1.4W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN3033LSNQ-7引脚图与封装图
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在线购买DMN3033LSNQ-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN3033LSNQ-7 | Diodes 美台 | DMN3033LSNQ-7 编带 | 搜索库存 |
替代型号DMN3033LSNQ-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMN3033LSNQ-7 品牌： Diodes 美台 封装： SC-59 | 当前型号 | DMN3033LSNQ-7 编带 | 当前型号 |
| 型号： DMN3033LSNQ-13 品牌： 美台 封装： SC-59 | 完全替代 | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 | DMN3033LSNQ-7和DMN3033LSNQ-13的区别 |