极性 N-CH
耗散功率 2.2 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 27.8 ns
输入电容Ciss 4310pF @15VVds
额定功率Max 890 mW
下降时间 13.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 890mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-3333-8
封装 PowerDI-3333-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMG7702SFG-7 | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 30V 12A Automotive 8Pin PowerDI EP T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DMG7702SFG-7 品牌: Diodes 美台 封装: PowerDI3333-8 N-CH 30V 12A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 12A Automotive 8Pin PowerDI EP T/R | 当前型号 | |
型号: DMG7702SFG-13 品牌: 美台 封装: PowerDI3333-8 N-CH 30V 12A | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 30V 12A Automotive 8Pin PowerDI EP T/R | DMG7702SFG-7和DMG7702SFG-13的区别 |