DN0150BLP4-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DN0150BLP4-7中文资料参数规格
技术参数
频率 60 MHz
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V
额定功率Max 450 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 450 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DFN-3
外形尺寸
封装 DFN-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
DN0150BLP4-7引脚图与封装图
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在线购买DN0150BLP4-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DN0150BLP4-7 | Diodes 美台 | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A Automotive 3Pin X2-DFN T/R | 搜索库存 |
替代型号DN0150BLP4-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DN0150BLP4-7 品牌： Diodes 美台 封装： X2-DFN1006-3 NPN 1W | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A Automotive 3Pin X2-DFN T/R | 当前型号 |
| 型号： DP0150BLP4-7 品牌： 美台 封装： DFN PNP 1000mW | 类似代替 | TRANS NPN 50V 100mA DFN1006H4 | DN0150BLP4-7和DP0150BLP4-7的区别 |
| 型号： DN0150BLP4-7B 品牌： 美台 封装： X2-DFN1006-3 NPN 1W | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A Automotive 3Pin X2-DFN T/R | DN0150BLP4-7和DN0150BLP4-7B的区别 |