DTD143ECHZGT116

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3

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500mA/50V Digital transistor

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500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR WI

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Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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ROHDTD143ECHZGT116

DTD143ECHZGT116中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 47 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

DTD143ECHZGT116引脚图与封装图

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DTD143ECHZGT116	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率	搜索库存