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DTA113ZUAFRAT106

DTA113ZUAFRAT106

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件
DTA113ZUAFRAT106中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

DTA113ZUAFRAT106引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DTA113ZUAFRAT106 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 ROHM  DTA113ZUAFRAT106  晶体管 双极预偏置/数字, PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-323 新 搜索库存
替代型号DTA113ZUAFRAT106
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DTA113ZUAFRAT106

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SOT-323 PNP

当前型号

ROHM  DTA113ZUAFRAT106  晶体管 双极预偏置/数字, PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-323 新

当前型号

型号: DTA113ZUAT106

品牌: 罗姆半导体

封装: UMT-3 PNP -50V -100mA 0.2W

完全替代

ROHM  DTA113ZUAT106  单晶体管 双极, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 33 hFE

DTA113ZUAFRAT106和DTA113ZUAT106的区别

型号: DTA113ZU3HZGT106

品牌: 罗姆半导体

封装:

完全替代

晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率

DTA113ZUAFRAT106和DTA113ZU3HZGT106的区别

型号: DDTA113ZUA-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-323 PNP 50V 100mA 200mW

类似代替

双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K 10K

DTA113ZUAFRAT106和DDTA113ZUA-7-F的区别