DS2003TN
TI(德州仪器)
电子元器件分类
DS2003TN中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 55 V
集电极最大允许电流 0.5A
电源电压 5 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 16
封装 DIP-16
外形尺寸
封装 DIP-16
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DS2003TN引脚图与封装图 
DS2003TN引脚图
DS2003TN封装图
DS2003TN封装焊盘图
替代型号DS2003TN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS2003TN 品牌： TI 德州仪器 封装： DIP 16Pin | 当前型号 | PDIP NPN 55V 0.5A | 当前型号 |
| 型号： DS2003CN/NOPB 品牌： 德州仪器 封装： DIP 16Pin 5V | 完全替代 | PDIP NPN 55V 0.5A | DS2003TN和DS2003CN/NOPB的区别 |
| 型号： ULN2004AN 品牌： 德州仪器 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS ULN2004AN 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 350 mA, DIP | DS2003TN和ULN2004AN的区别 |
| 型号： ULQ2004AN 品牌： 德州仪器 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 类似代替 | 高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY | DS2003TN和ULQ2004AN的区别 |