DMG563H10R

Panasonic(松下) 分立器件

SMini5-F3-B NPN+PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini5-F3-B

得捷:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

安富利:
COMPOSITE TRANSISTOR WITH BUILT-IN RE

DMG563H10R中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SMini5-F3-B

外形尺寸

封装 SMini5-F3-B

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMG563H10R引脚图与封装图

DMG563H10R引脚图

DMG563H10R封装图

DMG563H10R封装焊盘图

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