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DTC123JET1

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DTC123JET1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 2.2k 47k 增益80 SOT-523 marking/标记 8M

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 2.2KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.47 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 80 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space • Reduces Component Count • The SC–75/SOT–416 package can be soldered using wave or reflow. The modified gull–winged leads absorb thermal stress during soldering eliminating the possibility of damage to the die. • Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape & Reel 描述与应用| 特性 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •SC-75/SOT-416包装可以使用波或回流焊接。修改后的鸥翅引线在焊接热应力吸收消除模具损坏的可能性。 •可在8毫米,7 inch/3000单位带和卷轴

DTC123JET1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-75-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.75 mm

封装 SC-75-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

DTC123JET1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DTC123JET1 ON Semiconductor 安森美 DTC123JET1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 2.2k 47k 增益80 SOT-523 marking/标记 8M 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DTC123JET1

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-523 NPN 50V 100mA

当前型号

DTC123JET1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 2.2k 47k 增益80 SOT-523 marking/标记 8M

当前型号

型号: DTC123JET1G

品牌: 安森美

封装: SC-75 NPN 50V 100mA 300mW

类似代替

NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

DTC123JET1和DTC123JET1G的区别

型号: DTC123JE

品牌: 安森美

封装:

类似代替

数字晶体管( BRT ) R1 = 2.2千欧, R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 2.2 k, R2 = 47 k

DTC123JET1和DTC123JE的区别