额定电压DC -50.0 V
额定电流 -70.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VMT-3
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.5 mm
封装 VMT-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTA114YMT2L引脚图
DTA114YMT2L封装图
DTA114YMT2L封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTA114YMT2L | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | PNP -0.1A -50V偏置电阻晶体管 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DTA114YMT2L 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: VMT-3 PNP -50V -70mA 0.15W | 当前型号 | PNP -0.1A -50V偏置电阻晶体管 | 当前型号 | |
型号: DTA114EMT2L 品牌: 罗姆半导体 封装: VMT-3 PNP -50V -50mA | 类似代替 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm | DTA114YMT2L和DTA114EMT2L的区别 | |
型号: DTA114TMT2L 品牌: 罗姆半导体 封装: VMT-3 PNP -50V -100mA | 类似代替 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm | DTA114YMT2L和DTA114TMT2L的区别 | |
型号: DTA114EM3T5G 品牌: 安森美 封装: SOT-723-3 PNP -50V -100mA 600mW | 功能相似 | PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | DTA114YMT2L和DTA114EM3T5G的区别 |