DTA015TEBTL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTA015TEBTL中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 10V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 EMT-3F-3
外形尺寸
封装 EMT-3F-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
DTA015TEBTL引脚图与封装图 
DTA015TEBTL引脚图
DTA015TEBTL封装图
DTA015TEBTL封装焊盘图
在线购买DTA015TEBTL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA015TEBTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 100 kohm | 搜索库存 |
替代型号DTA015TEBTL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA015TEBTL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SC-89-3 PNP | 当前型号 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 100 kohm | 当前型号 |
| 型号： DTA043TMT2L 品牌： 罗姆半导体 封装： SC-105-3 PNP 0.15W | 完全替代 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm | DTA015TEBTL和DTA043TMT2L的区别 |
| 型号： DTA043TEBTL 品牌： 罗姆半导体 封装： SC-89-3 PNP | 完全替代 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm | DTA015TEBTL和DTA043TEBTL的区别 |
| 型号： DTA014TEBTL 品牌： 罗姆半导体 封装： SC-89-3 PNP | 完全替代 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm | DTA015TEBTL和DTA014TEBTL的区别 |