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DTC115EMT2L

DTC115EMT2L

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

VMT NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3


欧时:
NPN 100mA 50V Digital Transis R100/100


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin VMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3


DTC115EMT2L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 20.0 mA

额定功率 0.15 W

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 VMT-3

外形尺寸

封装 VMT-3

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DTC115EMT2L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DTC115EMT2L ROHM Semiconductor 罗姆半导体 VMT NPN 50V 100mA 搜索库存
替代型号DTC115EMT2L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DTC115EMT2L

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: VMT3 NPN 50V 20mA 0.15W

当前型号

VMT NPN 50V 100mA

当前型号

型号: DTC115EEBTL

品牌: 罗姆半导体

封装: EMTF NPN 0.15W

完全替代

EMTF NPN 50V 100mA

DTC115EMT2L和DTC115EEBTL的区别

型号: DTC115EKAT146

品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-346 N-Channel 50V 100mA 200mW

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型号: DTC115GKAT146

品牌: 罗姆半导体

封装: SC-59-3 NPN 50V 100mA

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